Le graphène, cristal bidimensionnel composé d’une couche unique d’atomes de carbone, possède des propriétés très prometteuses pour l’électronique. Cependant, pour que ces applications potentielles se concrétisent, il était nécessaire d’obtenir une forme semi-conductrice de ce matériau. Huit ans après sa découverte, c’est chose faite, grâce aux travaux d’une équipe franco-américaine menée par le Georgia Institute of Technology (USA), et incluant des scientifiques du CNRS, du synchrotron SOLEIL, de l’Institut Jean Lamour (CNRS/Université de Lorraine, Nancy) et de l’Institut Néel (Grenoble). Les chercheurs sont parvenus à mettre au point une technique de production de bandes de graphène semi-conductrices basée sur le contrôle du substrat sur lequel se produit la croissance du graphène. Leurs résultats, publiés dans Nature Physics le 18 novembre 2012, ouvrent la voie à une électronique de très haute fréquence.

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