Une université américaine vient de présenter Onyx, un prototype de SSD, disque dur à mémoire, réalisé à l’aide de mémoires à changement de phase, ou PCM, ou PRam. Il reste encore des progrès à faire pour ce successeur désigné – parmi d’autres – de la mémoire Flash, mais dont la commercialisation a déjà commencé.

Mémoire à résistance (ReRam), mémoire magnétique (MRam), mémoire à changement de phase (PRam, ou PCM) voire mémoire à nanotubes : les technologies se bousculent pour remplacer un jour les DRam de la mémoire vive (et volatile) des ordinateurs, par des mémoires permanentes. La PRam semble bien placée dans la course puisque Samsung a déjà réalisé des puces commercialisées l’an dernier et offrant 512 Mo. IBM travaille également sur de tels composants tandis qu’Intel et STMicroelectronics en sont déjà à tenter, au laboratoire, la fabrication des mémoires dont les cellules peuvent prendre quatre états et donc mémoriser deux bits.

Ces circuits sont pour l’instant utilisables en tant que mémoires internes permanentes. Le processeur peut à tout moment atteindre, pour lire ou écrire (on dit « adresser ») n’importe quelle cellule mémoire. Ils sont d’ailleurs de type « Nor », pour « non ou », en algèbre booléen, ce qui désigne un type de porte logique. Ces mémoires conviennent bien, par exemple, pour installer les logiciels systèmes des appareils mobiles.

Rappelons qu’une mémoire à changement de phase enregistre l’information dans un matériau vitreux qui peut devenir cristallin sous l’effet d’une impulsion électrique. Le procédé est semblable à celui des DVD-RW mais sur les disques optiques, l’information est lue à l’aide d’un rayon laser, l’état vitreux ou cristallin se traduisant par des réflectivités différentes. Dans une mémoire, c’est la différence de résistivité qui est utilisée, la différence de résistance indiquant si la cellule mémoire contient un 0 ou un 1.

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