Le numéro deux mondial des fabricants de mémoire, le sud-coréen Hynix, a annoncé en janvier 2011 avoir mis au point une nouvelle puce mémoire gravée en 30 nanomètres. Le développement de cette mémoire 4Gb DDR3 DRAM en 30 nanomètres est une première mondiale.

Cette nouvelle mémoire ciblera principalement un marché de haut niveau, comme les serveurs ou les ordinateurs personnels de haut de gamme. Elle permet des vitesses accrues de plus de 70% en comparaison avec les modèles en 40 nanomètres.

Avec ce nouveau saut technologique Hynix prend de l’avance sur ces concurrents Taïwanais et Japonais qui continuent de graver leur mémoire avec des finesses de 50 à 60 nanomètres. Hynix espère ainsi gagner rapidement en compétitivité aussi bien en termes de performance, que de coût.

via BE Corée numéro 55 (3/05/2011) – Ambassade de France en Corée / ADIT – http://www.bulletins-electroniques.com/actualites/66573.htm